SISS61DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SISS61DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SISS61DN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8S Serie TrenchFET® Gen III Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Verlustleistung (max) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8S Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8740 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Grundproduktnummer SISS61 -
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